背靶的选择对材质的要求：一般选用无氧铜和钼靶，厚度在3mm左右导电性好：常用无氧铜，贵金属靶材，无氧铜的导热性比紫铜好；强度足够：太薄，易变形，不易真空密封。结构要求：空心或者实心结构；厚度适中：3mm左右，太厚，消耗部分磁强；太薄，容易变形。铟焊绑定的流程1.绑定前的靶材和背板表面预处理2.将靶材和背板放置在钎焊台上，升温到绑定温度3.做靶材和背板金属化4.粘接靶材和背板而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，贵金属靶材加工，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。热压法：ITO靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后，以100kgf/cm2～1000kgf/cm2的压力单轴向加压，同时以1000℃～1600℃进行烧结。热压工艺制作过程所需的成型压力较小，贵金属靶材生产加工，烧结温度较低，烧结时间较短。但热压法生产的ITO靶材由于缺氧率高，贵金属靶材工艺，氧含量分布不均匀，从而影响了生产ITO薄膜的均匀性，且不能生产大尺寸的靶。贵金属靶材-沈阳东创【精益求精】-贵金属靶材工艺由沈阳东创贵金属材料有限公司提供。贵金属靶材-沈阳东创【精益求精】-贵金属靶材工艺是沈阳东创贵金属材料有限公司今年新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取联系人：赵总。)