微处理器温度补偿晶体振荡器-晶宇兴科技公司
    
    
    
        企业视频展播,请点击播放视频作者:北京晶宇兴科技有限公司晶振的负载电容晶振有一个重要的参数,那就是负载电容值,选择与负载电容值相等的并联电容,就可以得到晶振标称的谐振频率。一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器(注意是放大器不是反相器)的两端接入晶振,再有两个电容分别接到晶振的两端,每个电容的另一端再接到地,这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容,请注意一般IC的引脚都有等效输入电容,这个不能忽略。一般的晶振的负载电容为15p或12.5p,微处理器温度补偿晶体振荡器加工,如果再考虑元件引脚的等效输入电容,则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。负载电容+等效输入电容=22pF。石英晶体振荡器的应用石英钟走时准、耗电省为其优点。不论是老式石英钟或是新式多功能石英钟都是以石英晶体振荡器为电路,微处理器温度补偿晶体振荡器原厂,其频率精度决定了电子钟表的走时精度。石英晶体振荡器原理的示意如图3所示,其中V1和V2构成CMOS反相器石英晶体Q与振荡电容C1及微调电容C2构成振荡系统,这里石英晶体相当于电感。振荡系统的元件参数确定了振频率。一般Q、C1及C2均为外接元件。另外R1为反馈电阻,R2为振荡的稳定电阻,它们都集成在电路内部。故无法通过改变C1或C2的数值来调整走时精度。但此时仍可用加接一只电容C有方法,来改变振荡系统参数,微处理器温度补偿晶体振荡器,以调整走时精度。根据电子钟表走时的快慢,调整电容有两种接法:若走时偏快,则可在石英晶体两端并接电容C,如图4所示。此时系统总电容加大,振荡频率变低,走时减慢。若走时偏慢,则可在晶体支路中串接电容C。如图5所示。此时系统的总电容减小,振荡频率变高,走时增快。只要经过耐心的反复试验,就可以调整走时精度。因此,晶振可用于时钟信号发生器。晶体振荡器的主要参数(1)频率准确度;(2)温度稳定度;(3)频率调节范围;(4)调频(压控)特性;(5)负载特性;(6)电压特性;(7)杂波;(8)谐波;(9)频率老化;(10)日波动;(11)开机特性;(12)相位噪声。我司可提供高温电子解决方案,微处理器温度补偿晶体振荡器单价,常年备有大量高温晶振的现货,可以从性能参数,成本等各方面为您的设计保驾护航,有的技术人员协助您设计,欢迎您前来咨询!微处理器温度补偿晶体振荡器-晶宇兴科技公司由北京晶宇兴科技有限公司提供。北京晶宇兴科技有限公司坚持“以人为本”的企业理念,拥有一支高素质的员工队伍,力求提供更好的产品和服务回馈社会,并欢迎广大新老客户光临惠顾,真诚合作、共创美好未来。晶宇兴——您可信赖的朋友,公司地址:北京市海淀区知春路128号泛亚大厦1795,联系人:赵经理。)