企业视频展播，请点击播放视频作者：广东至敏电子有限公司防雷压敏电阻器与SPD（浪涌保护器）的配合使用.防雷压敏电阻器（MOV）与浪涌保护器（SPD）是防雷系统中的重要组件，两者配合使用可形成多级防护体系，显著提升电子设备在雷电或操作过电压下的安全性。其原理在于通过分级泄放能量和钳位电压，实现协同保护。1.功能互补与协同机制压敏电阻器基于非线性电阻特性，在过电压时快速导通（响应时间约25ns），通过钳制电压保护后端设备，但其耐流能力有限（通常数千安培），且多次冲击后可能劣化。SPD作为集成化保护装置，通常包含压敏电阻、气体放电管、热保护单元等多级结构，能够泄放更高能量（可达数十千安培），并通过多级触发实现更宽范围的保护。两者配合时，SPD作为级防护承担大电流泄放任务，压敏电阻作为第二级进一步降低残压，形成粗保护+精保护的级联结构。2.配合使用策略-分级配置：在电源进线端安装I类SPD（10/350μs波形）处理直击雷电流，后续配电线路采用II类SPD（8/20μs波形）与压敏电阻组合，形成逐级衰减的防护梯度。-参数匹配：需确保SPD的电压保护水平（Up）高于压敏电阻的钳位电压，避免保护盲区。典型配置为SPD的Up值比压敏电阻的压敏电压（Un）高20%-30%。-距离控制：级间应保持5-10米线路距离或加装退耦电感，利用线路阻抗实现能量分配，防止两级保护同时动作导致失效。3.关键技术要点-热稳定性协调：需配置热熔断装置，防止压敏电阻劣化后短路引发火灾，同时避免影响SPD的正常工作。-状态监测集成：现代SPD常内置劣化指示功能，可与压敏电阻的失效报警模块联动，实现系统级状态监控。-频率响应优化：对于高频设备，需选择低寄生电容的压敏电阻（如C4.应用注意事项需定期检测SPD的漏电流和压敏电阻的绝缘电阻，当压敏电压下降10%或绝缘电阻低于10MΩ时应及时更换。在TT接地系统中，咸宁压敏电阻，应确保SPD与压敏电阻的接地电位一致性，避免因地电位差引发二次放电。通过科学的配合设计和定期维护，该组合可将设备耐压水平提升至1.5kV以下，有效保障电子信息系统的雷电防护安全。浪涌吸收器的主要参数：额定电压、标称导通电压、冲击通流容量.浪涌吸收器（如压敏电阻、气体放电管等）是用于抑制瞬态过电压的关键保护器件，其参数包括额定电压、标称导通电压和冲击通流容量。这些参数直接影响设备的保护效果和可靠性，需根据实际应用场景合理选择。1.额定电压（RatedVoltage）额定电压是指浪涌吸收器在正常工作状态下能长期承受的持续电压（如交流有效值或直流电压）。该参数需略高于被保护系统的运行电压，以避免误触发。例如，在220V交流系统中，通常选择额定电压为275V~320V的压敏电阻。若额定电压过低，器件可能因长期过载而老化；过高则可能导致保护响应延迟，无法有效箝位过电压。2.标称导通电压（NominalClampingVoltage）标称导通电压（也称压敏电压或击穿电压）是器件开始导通并限制过电压的临界阈值。对于压敏电阻，该电压通常指在1mA直流电流下的箝位电压值；气体放电管则为直流击穿电压。此参数需高于系统峰值电压但低于被保护设备的耐受电压。例如，在直流48V系统中，压敏电阻的标称导通电压可选82V，既允许正常电压波动，又能在过压时快速动作。选择时需考虑温度、老化等因素，通常预留20%-30%裕量。3.冲击通流容量（SurgeCurrentCapacity）冲击通流容量表示器件单次可承受的浪涌电流峰值（如8/20μs波形），反映其抗大电流冲击能力。该参数需根据应用场景的预期浪涌等级选择，如户外设备需满足10kA以上，而室内电子设备可能仅需3kA。需注意：多次冲击后器件的通流能力会下降，故在高频浪涌环境中应选择更高规格或冗余设计。此外，器件封装尺寸与通流容量正相关，需权衡空间与性能。参数间的协同关系-额定电压与标称导通电压需匹配：额定电压保障长期稳定性，PTC压敏电阻，标称电压决定保护阈值。-通流容量与系统风险等级相关：雷击多发区需高容量器件，配合快熔断器防止短路失效。-实际选型中还需考虑响应时间、箝位电压及漏电流等参数，玻封测温型压敏电阻，并结合多级防护设计（如GDT+TVS组合）提升整体可靠性。总之，合理配置浪涌吸收器参数需综合系统电压、环境风险及成本，确保在过压事件中快速泄放能量，同时维持自身寿命与稳定性。突波吸收器（浪涌保护器）的保护原理基于其阻抗特性的快速切换机制，通过从高阻抗到低阻抗的动态转换实现对电路的有效保护。其工作过程可分为三个阶段：1.常态高阻抗阶段在正常工作电压下，突波吸收器呈现高阻抗特性（通常达兆欧级），此时相当于开路状态，对电路系统几乎不产生影响。这种高阻抗特性由非线性元件（如压敏电阻的晶界势垒或气体放电管的间隙结构）维持，确保设备正常运行不受干扰。内部材料的特殊能带结构使载流子处于束缚状态，导通电流可忽略不计。2.快速切换触发阶段当检测到瞬态过电压（可达数千伏）时，柱状测温型压敏电阻，元件内部发生隧穿效应或气体电离效应。压敏电阻的氧化锌晶界势垒在3-10ns内被击穿，气体放电管在0.1-1μs内形成等离子体通道。这种状态切换的关键参数包括触发电压阈值（通常为工作电压的1.8-2.5倍）、dV/dt转换速率（可达10^12V/s）以及非线性系数（α值>30）。3.低阻抗泄放阶段切换完成后阻抗骤降至毫欧级，形成低阻通路，将浪涌电流（可达数十千安）导向接地系统。此时元件呈现类似金属导体的特性，通过焦耳热耗散能量（能量吸收密度可达300J/cm3）。该阶段持续时间约50-100μs，直至系统电压恢复正常。关键技术特点包括：-响应速度：固态元件可达1ns级，气体元件-电压钳位精度：±5%以内-重复耐受能力：标准测试波形（8/20μs）下可承受20次冲击-自恢复特性：多数类型在浪涌消除后自动恢复高阻态实际应用中需配合RC滤波电路和级联保护设计，形成多级防护体系。这种动态阻抗切换机制相比传统熔断器具有毫秒级快速恢复优势，但需注意材料老化导致的阈值漂移问题，建议每5年或经历重大浪涌后检测性能参数。柱状测温型压敏电阻-咸宁压敏电阻-至敏电子有限公司由广东至敏电子有限公司提供。行路致远，砥砺前行。广东至敏电子有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为电阻器具有竞争力的企业，与您一起飞跃，共同成功!)